Menu
01.09.2014| tuoturefi| 5 комментариев

Фотоэлектронные спектры купратов Евгений Кондрашов

У нас вы можете скачать книгу Фотоэлектронные спектры купратов Евгений Кондрашов в fb2, txt, PDF, EPUB, doc, rtf, jar, djvu, lrf!

Именно этим вопросам посвящена данная диссертация. Полуколичественное квантовохимическое приближение, основанное на полном Cu3d— 02р наборе состояний С11О4-кластера с разумным выбором одночастичных и корреляционных параметров применяется для последовательного описания электрон-дырочных возбуждений в диэлектрических купратах.

Делается расширение модели малых экси-тонов с переносом заряда Жанга-Нга с введением одноцентровых внутрицентровых френкеле-подобных и двухцентровых межцентровых экситонов. Обсуждается важная роль, которую играют эффекты матричного элемента как в оптических, так и в EELS спектрах.

В последнем случае мы получем различную зависимость от волнового вектора для внутрицентровых и межцентровых переходов. Различные экспериментальные данные и теоретический анализ показывают, что что природа щели с переносом заряда в диэлектрических родительских составах определяется квазивырождением локализованного внутрицентрового возбуждения и межцентровых экситонов с переносом заряда.

Модельный анализ экспериментальных EELS спектров в различных OD, 1D и 2D диэлектрических купратах позволяет обнаружить различные общие особенности и показать характерное проявление низкой размерности. Низкоэнергетическая частьмежцентровых возбуждений определяется дырочными переходами в преимущественно 02р кислородные состояния, в то время как высокоэнергетическая часть определяется дырочными переходами в существенно СиЫ медные состояния.

Экспериментальные EELS спектры в различных диэлектрических составах обнаруживают как хорошо локализованные бездисперсионные электронные возбуждения типичные сильной электрон-фононной связи, так и экситонные моды с сильной дисперсией интенсивности и умеренной 0.

Специфичиские свойства big ос с? Х2—У2 основного состояния исходного СиО4 планета в родительских купратах результируется в доминирующей роли, которую играют СиМ02ра связывающие и 02ра электроны. Однако, оптические и EELS измерения позволяют детектировать 02pz и 02ртг состояния.

По всей видимости, эти 02ртс состояния могут быть предпочтительнее для локализации дополнительной дырки, нежели big ос dX2-y2 основное состояние, приводя тем самым к нестабильности синглета Жанга-Райса.

Разработка полуэмпирической модели электронной структуры диэлектрических купратов, выяснение роли низкоэнергетических чисто кислородных сосояний. Расчет и анализ эффектов матричного элемента и поляризационных зависимостей в спектрах фотоэмиссии углового разрешения.

Развитие теории экситонов для 0D, 1D и 2D диэлектрических купратов, расчет спектров энергетических потерь электронов и сравнение с экспериментальными данными. Впервые, на основе квантовохимических расчетов электронной структуры, рассчитаны одноэлектронные матричные элементы, определяющие интенсивность фототока в ARPES экспериментах;. Показано, что "эффект остаточной поверхности Ферми", наблюдаемый в фотоэмиссионных экспериментах, связан с эффектами матричного элемента;. Выдвинуто предположение, что конечная интегральная интенсивность фототока в центре зоны Бриллюэна в области 0.

Развита обобщенная теория экситонов с переносом заряда - одноцентровых френ-келевских и двухцентровых как обобщение малых малых экситонов Жанга-Нг , проведена их теоретико-групповая классификация;. Выполнен расчет спектров энергетических потерь электронов в 0D, 1D и 2D диэлектрических купратах и дано сравнение с экспериментальными данными;. Эти зависимости могут быть использованы на практике для идентификации дипольно-запрещенных фотопереходов ;.

Показано, что идентификация возгорающего пика при 1. Результаты анализа эффектов матричного элемента и поляризационных зависимостей в спектрах фотоэмиссии диэлектрических купратов при рождении больших неадиабатических поляронов. Расчет спектров энергетических потерь электронов в OD, 1D и 2D диэлектрических купратах и сравнение их с экспериментальными данными.

Основные результаты диссертации докладывались на ряде российских и международных конференций:. Молодежной научной школе "Актуальные проблемы магнитного резонанса и его приложений", ноября г. Физико-химические свойства", 31 января -4 февраля г.

Работа выполнена на кафедре теоретической физики Уральского государственного университета им. Впервые, на основе квантовохимических расчетов электронной структуры, рассчитаны одноэлектронные матричные элементы, определяющие интенсивность фототока в ARPES экспериментах, выполненных на квазидвумерных диэлектрических купратах.

Рассмотрено влияние этих матричных элементов на низкоэнергетические спектры фотоэмиссии угового разрешения и показано, что эффект так называемой "остаточной поверхнсти Ферми " может быть обусловлен только угловой зависимостью матричных элементов даже в предположении полной локализации фотодырки в кристалле в этом случае импульсная зависимость фототока определяется только матричным элементом, но не спектральной функцией.

Выдвинуто предположение, что вблизи синглета Жанга-Райса должно лежать возбужденное нечетное состояние типа Еи, благодаря чему наблюдается конечная интенсивность фототока в центре зоны Бриллюэна. Кроме того, определены поляризационные зависимости тока фотоэмиссии в зависимости от волнового вектора фотоэлектрона, которыми вообще пренебрегается в традиционных модельных расчетах ARPES спектров диэлектрических купратов. Построена обобщенная теория экситонов с переносом заряда в диэлектрических купратах.

А может и не интересно. Наши контакты Связь с администрацией. Несмотря на интенсивные усилия исследователей уже в течение многих лет, однозначная теоретическая интерпретация ряда физических явлений и самого механизма сверхпроводимости до сих пор не найдена.

Более того, многие свойства родительских диэлектрических составов остаются загадочными и по сей день. В связи с этим представляется актуальным развитие теоретического подхода, в котором предполагается детальный квантовохимический учет конкретного кристаллического и электронного строения диэлектрических купратов и попытки, в рамках данного подхода, единым образом описать оптические и фотоэлектронные спектры различных диэлектрических купратов. Именно этим вопросам посвящена данная монография.

Оптические и фотоэлектронные спектры диэлектрических купратов.: Медь-кислородные высокотемпературные сверхпроводники ВТСП обладают целым рядом необычных свойств, обусловленных сложным взаимодействием электронных, спиновых и решеточных степеней свободы и существенно отличающих их от обычных металлических сверхпроводников.

Несмотря на интенсивные усилия исследователей уже в течение ти лет, однозначная теоретическая интерпретация ряда физических явлений и самого механизма высокотемпературной сверхпроводимости до сих пор не найдена. Более того, многие свойства родительских диэлектрических составов остаются загадочными и по сей день.

К таким свойствам, в первую очередь, можно отнести поглощение в среднем ИК-диапазоне, природу края фундаментального поглощения, фотоиндуцированное поглощение и данные фотоэмиссии углового разрешения ARPES вблизи уровня Ферми. Природа низкоэнергетических возбуждений в родительских квазидвумерных кристаллах, таких как La 2 Cu0 4 , Sr 2 Cu0 2 Cl2, и их одномерных аналогов типа Sr 2 Cu0 2 , Li 2 Cu0 2 , Sr 2 Cu0 3 представляет один из наиболее спорных вопросов как в проблеме ВТСП, так и в физике сильнокоррелированных оксидов вообще.

В связи с этим представляется актуальным развитие теоретического подхода, в котором предполагается детальный квантово-химический учет конкретного кристаллического и электронного строения диэлектрических купратов и попытки, в рамках данного подхода, единым образом описать оптические и фотоэлектронные спектры различных диэлектрических купратов. Именно этим вопросам посвящена данная диссертация. Разработка полуэмпирической модели электронной структуры диэлектрических купратов, выяснение роли низкоэнергетических чисто кислородных состояний.

Расчет и анализ эффектов матричного элемента и поляризационных зависимостей в спектрах фотоэмиссии углового разрешения. Развитие теории экситонов для OD, ID и 2D диэлектрических купратов, расчет спектров энергетических потерь электронов и сравнение их с экспериментальными данными. Эти зависимости могут быть использованы на практике для идентификации дипольно-запрещенных экситонных фотопереходов. Показано, что идентификация возгорающего пика 1.